第五八九章 摩尔定律和半导体工艺制程

技术的逻辑，让工匠从一开始就直接去走浸润式光刻的方向。

按照光刻机的逻辑，光源的波长越短，就能够生产出制程越小的芯片。

但是又不能无限短，最短的X射线会直接穿过物体，导致无法通过透镜和反射来缩放图纸。

只能在工艺水平大幅度提升后，用在少数有特殊需求的半导体产品上。

常规光源的升级过程，就是不断地寻找无限接近X射线，但是又不能出现X射线现象的光源的过程。

最早的光刻机光源是可见的蓝光，波长是450纳米，实现了微米级的工艺。

在微缩光刻时代，迅速转入不可见的紫外光时代。

波长降低到了365纳米，实现了800纳米到280纳米的工艺。

之后很长的一段时间内，就是在紫外光的范围内，持续不断地缩短波长。

直到波长为193纳米的节点的时候，已经可以用来生产280纳米到65纳米制程芯片了。

如果按照这个方向继续下去，本来应该去寻找波长157纳米的光源，开始生产45纳米及以下的芯片。

但是当时的光源开发公司，在研制波长157纳米的光源时遇到了困难，或者说是瓶颈。

当时的光刻机产业的领头羊尼康在157纳米光源上头铁了很久。

而台积电的林本坚发现了另外一个方向。

光进入水中时会发生折射，光源的波长也会有相应的缩短。

所以193纳米的光穿过一层水之后，就有了等效于134纳米波长光源的效果。

于是，台积电和阿斯麦尔合作，以林本坚提出的方向为目标，研发出了浸润式光刻机。

意思就是泡在水里面光刻。

继续使用193纳米的光源，推动芯片制程从45纳米继续上升，最终的极限做到了7纳米工艺。

直到深入5纳米制程范围的时候，193纳米的深紫外光源才彻底走到了尽头。

半导体产业不得不尝试更换波长13.5纳米的极紫外光源。

所以对于大明而言，当然可以尽快用攻关浸润式光刻技术，但是在新光源的研究上也要不断努力。

另外，前世所有用过的已经成功的路，当然是已经确定可行的路。

前世没有采用的道路，也未必是不可行的。

以现在大明的资源，对于后世出现过其他方案，也可以让工部有选择尝试。

说不定能够实现比原有道路更好的效果呢？

比如说“同步辐射光源”设施，本身作为一个其他方面的科研设施，其原理使得其能放出各种波长的光。

包括最为接近X光的“极紫外光”。

实际上，历史上早期的光刻机技术验证，也曾经用过同步辐射光源去做研究和验证。

但是同步辐射光源的性质注定了难以商业化。

大明这边也可以尝试，建设大规模的同步辐射光源，在它的基础和原理上讨论，各种光源和光刻的可行性。

同时它也可以继续作为科研设备持续运转。

还有其他的更加具体的细节，比如提升性能的铜导线工艺，提升效率的双件工作台设计等等。

朱靖垣把自己能想到的都依次列举出来，作为自己的不确定的设想。

让工部和半导体司安排人员去做攻关和验证。

在这样的基础上，朱靖垣对工部、半导体司、工匠们提出了更加具体的研发目标。

首先是最重要和最核心的工艺制程和中央处理器。

两年之内完成一微米工艺的普及和量产，同时完成下一代的通用微处理器的开发。

新处理的性能目标是每秒计算次数不低于一千万次。

最好是达到每秒五千万次，也就是接近于386甚至486，或者是第一代PS游戏机的水平。

同时要求，它必须是六十四位微处理器，开发代号也因此直接确定为六十四。

按照朱靖垣的计划，六十四位处理器开发完成之后，将会开始主动向民用市场推广，主动开发更多民用设备。

大明的半导体产业构建方式，与历史上的美利坚完全不同。

美利坚作为一个商业社会，就算是官方主导的项目，通常也是军方出钱出技术，让民间厂商去完成产品开发。

这种模式的优势是非常明显的。

最终产品的类似产品，以及开发过程中产生的技术，能够更快的进入民