第208章 三项诺奖成果，滨海大学惊四方！（第3更）

4月2日。

琅琊镇，滨海大学。

大型学术报告厅内。

一场重磅的新闻发布会，正在进行。

上百位媒体记者到场参加，场面极其隆重。

前排座位席上。

坐着许多物理和化学领域的业界大咖、两院院士。

现场主持人，开口道：“女士们，先生们，欢迎出席滨海大学重磅科研成果发布会&学术会议。

滨海大学是一所创建没多久的学校，但我校拥有多位学术大咖。

比如，滨海大学副校长、夏国科学院院士、黎曼猜想证明者——赵玉秀院士。

比如，滨海大学副校长、夏国科学院副院长、诺贝尔物理学奖得主、国家最高科学技术奖得主——李明陌院士。

比如，滨海大学物理学院新任院长、夏国科学院院士、诺贝尔物理学奖得主、国家最高科学技术奖得主——李子华院士。

而就在今天。

李明陌院士、李子华院士，以及滨海大学校长李子奕，将公布最新的科研成果，请大家掌声鼓励！”

话音落下。

现场掌声阵阵，经久不息。

李子华、李明陌、赵玉秀、李子奕，都是滨海李家人，在外界享誉盛名。

就凭几人的咖位。

他们肯定能发布让学术界为之轰动的科研成果！

……

接下来。

李明陌率先上台。

他环顾四周，开口道：“众所周知，硅是目前应用最广泛的半导体材料，达到芯片制造所需要的99.99999999%纯度。

不过，随着芯片小型化发展。

硅的短板与市场需求的矛盾也日益突出，例如传导热量性能不佳、空穴迁移率不够高等。

科学界，一直在探索半导体新材料，例如砷化镓、氮化镓、碳化硅、金刚石、氧化锌、氮化铝等。

近段时间，我验证出一种比硅导电导热性能更佳、有望替代硅的材料——立方砷化硼（c-BAs）。

通过瞬态反射显微成像测定。

立方砷化硼的高双极性迁移率，达到1550cm2V1s1。

立方砷化硼的室温下高热导率，达到1300Wm1K1。

这两个数据，说明立方砷化硼的合成，不需要高温高压，在大尺寸制造方面，可以满足工业需求。

从业界的角度来看。

芯片的散热问题严重阻碍了其运算速度。

立方砷化硼，能解决当前芯片散热的瓶颈问题。

事实的确如此。

我在实验室里，已经将立方砷化硼应用到稍大尺寸的二极管、三极管和场效应晶体中。

同时，我和滨海芯片有限公司达成合作，已经将立方砷化硼应用至芯片里。

数据现实，立方砷化硼性能非常出众，是目前为止性能最好的半导体材料。

它能替代现有的硅基元器件，掀起新一轮的芯片半导体革命……”

新一轮芯片半导体革命？

在场众人都双眼放光。

诺奖得主李明陌院士，又取得了重磅级科研突破！

暂且不说半导体领域的变革。

光是这份科研成果。

就已经是诺奖级别的成就！

李明陌院士，已经获得过诺贝尔物理学奖。

但不远的将来。

他或许能获得人生中第二次诺贝尔物理学奖！

……

接下来。

西装革履的李子华院士，走上高台。

他将U盘放进USB接口，读取论文。

论文标题为《焦耳热闪蒸技术！让石墨烯秒变白菜价！》

看到这个标题，现场一片哗然。

石墨烯目前的商业价值为每吨7万美元至20万美元之间。

让昂贵的石墨烯变白菜价，是什么鬼？

如果石墨烯真的变成白菜价，岂不是意味着新一轮的材料革命即将到来？

李子华操作PPT的同时，介绍道：“焦耳热闪蒸技术，是一种新型碳化物合成方法。

具体操作方法是，用毫秒级的电流脉冲通过前驱体，使样品达到3000K以上的超高温，然后迅速冷却到室温。

基于此，我成功合成TiC、ZrC、HFC、VBC、TaC、Cr2C3、MoC、W2C等13种重要元素碳化物和B4C、SiC共价碳化物，表现出良好的通用性。

再通过控制脉冲电压，选择性合成热力学稳定的β-Mo2C、亚稳态α-MoCl1-x和η-MoCl1-x等相纯碳化钼。

β-Mo2C具有最好的HER性能，过电位为-220 mV，塔菲尔斜率为68 mV dec?1，具有出色的耐用性。

无论是石油焦炭、煤炭、食品废弃物、橡胶轮胎还是塑料垃圾，都可以使用焦耳热闪蒸技术，在不到100毫秒的时间内，使其变成无焦相控的碳化物纳米晶。

传统的机械剥离法、氧化还原法、SiC外延生长法、化学气相沉积法等生产方法，想要生产石墨烯，成本较高。