第八百七十九章 S级项目！

半个小时的时间并不长，在徐川通过扫描电子显微镜观察着这块月岩材料的时候，实验室，另一边的检测也顺利完成了。

超高分辨率场发射扫描电子显微镜对月岩的检测结果已经绘制成数据表和图片。

连接上彩色打印机和图像打印设备，负责进行实验的王杭迅速将相关的数据图表打印了出来。

“徐院士，赵所，场发射扫描电子显微镜的分析结果已经出来了。”

从对方手中接过实验数据，徐川迅速翻阅了起来。

相对比常规的扫描电子显微镜来说，超高分辨率的场发射扫描电子显微镜虽然耗费的时间要长很多。

但是它能看到的东西也会多很多。

尤其是星海研究院中的设备都是采用最新数字化图像处理技术，提供高倍数、高分辨扫描图像的最新一级的设备，价值不菲的同时也能带来更多对材料本身的观测。

对瑶池环形山月岩的扫描，从大体上来说，和普通的电子显微镜观测到的情况差不多太多。

但细节方面却是天差地别。

比如在普通的扫描电镜的SED图中可以直观显示碳纳米管的粗细，以及碳纳米管之间的交织状态。

但是在场发射扫描电子显微镜STEM图中，可以看到隐藏在3D结构中的小颗粒结构。

这些颗粒结构在传统扫描电子显微镜的实验中是无法看到的。

此外，场发射扫描电子显微镜还有独特的明场像BF，暗场像DF，以及高角度环形暗场像HAADF模式等等。

这些图像具有不同的成像优势，可以根据样品情况搭配使用，成像结果进行互相验证。

而在这块瑶池环形山月岩的高角度环形暗场像HAADF上，徐川就发现了一些特别的地方。

“有点意思，HAADF成像上这些碳纳米管的二次电子的轨迹和强度对比明暗场成像有着明显光暗区别。”

嘴里念叨了一句，他的目光落在了手中一张图纸上，眼神中带着些许思忖的光彩。

放到了X倍的图像上，规则整齐的碳纳米管道呈现出来的光亮度有着明显的区别。

HAADF成像上的能量反应和成分衬度、形貌衬度这些数据都有一些明显的变化。

一旁，赵光贵微蹙着眉头，开口道：“这不应该，HAADF成像与BF、DF成像理论上来说不会出现如此大衬度和能量反应差。”

虽然说三种成像方式各有差别，形成的图像也会有着差别，但能量和衬度会差距这么大的，很罕见。

徐川笑了笑，道：“没什么不可能的，如果说这些碳纳米管道与底层衬底形成了掺杂，产生了类似于集成芯片中半导体门的结构，这些差异是可以说得通的。”

闻言，赵光贵一脸惊诧的看了过来，忍不住询问道：“您是说这些试样表面若存在电位分布的差异，比如类似半导体的 P-N结、加偏压的集成电路等机构，其局部电位的差异影响到了二次电子的轨迹和强度。”

徐川点了点头，道：“嗯，目前来说这个猜测最有可能解释这种能量与衬度差距。”

“嘶~”

赵光贵倒吸了口凉气，惊讶的说道：“如果是这样，这极有可能是一块天然的碳纳米管集成板？”

盯着手中的实验数据报告文件，徐川思忖着开口道：“不否认这种可能性，不过它是天然碳纳米管集成电路板的可能性在我看来还是很低的。”

“嗯？”

闻言，赵光贵和实验室中的其他两名研究员都投来了诧异疑惑的目光。

按照HAADF成像上的数据来看，这是非常明显的电位衬度差距，而一般来说这种差异通常只会出现在半导体上。

因为半导体具有局部电位差，在正电位区域，二次电子好像被拉住不易逸出，因此在这些区域，二次电子产额较少，图像上显得较暗；

相反，在负电位区域，二次电子易被推出，产额较高，在图像上显得较亮，这就是电位衬度。

一般来说，剖析其他国家的半导体设备，比如芯片，就是通过电位衬度来研究的。

（这是一枚芯片电镜结构图，可以清楚的看到里面的区别）

看着手中的实验报告，徐川思忖了一下，开口解释道：“虽然说从扫描图像上来看，在施加偏压的时候在一定程度上具备了半导体性质衬底。”

“但它和碳基集成管的差距还是很大的，站在材料学的角度上来推测，我个人更倾向于它是受到外力的影响，而掺杂了一些其他的材料，导致出现了电阻差异。”

“看第三张图，就可以明显的发现第三列的碳纳米管出现了不同的分子亮度。”

微微顿了顿，他接着道：“不过这个方向可以研究一下，看看它被掺杂元素是什么，借鉴一下还是很不错的。”

赵光贵的眼眸动了动，盯着手里的实验数据开口道：“你是说碳半导体的掺杂研究？”

徐川点了点头，嘴角带着笑意道：“嗯，碳和硅性质虽然类似但还是有很大的区别的。”

“碳是导体，硅本身就是半导体，所以要完美的对其进行掺杂，将其转变成